[实用新型]基于伪测量值法的薄层硅片电阻率检测系统有效

专利信息
申请号: 201621231356.7 申请日: 2016-11-17
公开(公告)号: CN206147011U 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 刘新福;吴鹏飞;张剑军 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: G01R27/02 分类号: G01R27/02
代理公司: 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙)12210 代理人: 李济群,付长杰
地址: 300130 天津市红桥区*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 实用新型涉及基于伪测量值法的薄层硅片电阻率检测系统,该系统包括激励源模块、多路模拟开关模块、信号放大模块、信号处理模块和计算机;激励源模块、多路模拟开关模块、信号放大模块、信号处理模块和计算机依次连接,其中信号处理模块的一个输出端还与多路模拟开关模块的一个输入端连接,多路模拟开关模块同时接在样片的两端;所述激励源模块选用恒流源作为激励源,激励源模块与多路模拟开关模块连接,为硅片电极提供激励信号,具体电路构成是电源E的正极通过开关连接电阻R1的一端和负载的一端,电源E的负极与电阻R2的一端、二极管D1的负极连接;电阻R2的另一端串联两个滑动变阻器。
搜索关键词: 基于 测量 薄层 硅片 电阻率 检测 系统
【主权项】:
一种基于伪测量值法的薄层硅片电阻率检测系统,其特征在于该系统包括激励源模块、多路模拟开关模块、信号放大模块、信号处理模块和计算机;激励源模块、多路模拟开关模块、信号放大模块、信号处理模块和计算机依次连接,其中信号处理模块的一个输出端还与多路模拟开关模块的一个输入端连接,多路模拟开关模块同时接在样片的两端;所述激励源模块选用恒流源作为激励源,激励源模块与多路模拟开关模块连接,为硅片电极提供激励信号,具体电路构成是:电源E的正极通过开关连接电阻R1的一端和负载的一端,电源E的负极与电阻R2的一端、二极管D1的负极连接;电阻R2的另一端串联两个滑动变阻器R3和R4,滑动变阻器R4的一端连接三极管的发射极连接,二极管D1的正极与二极管D2的负极连接;电阻R1的另一端与二极管D2的正极、三极管Q的基极连接;三极管Q的集电极连接负载的另一端;所述信号放大模块采用平衡式差分放大电路,信号放大模块的输入端与多路模拟开关模块的输出端连接,信号放大模块的输出端与信号处理模块连接;具体电路构成是:包括固定电阻R5~R12和运算放大器,所述运算放大器的正极与固定电阻R5的一端、固定电阻R11的一端连接,固定电阻R5的另一端、固定电阻R11的另一端和固定电阻R7的一端均接地;固定电阻R9和固定电阻R8同时并联在固定电阻R7和固定电阻R11之间的导线上;所述运算放大器的负极与固定电阻R12的一端、固定电阻R10的一端连接,固定电阻R10的另一端与固定电阻R6的一端连接;固定电阻R12的另一端与运算放大器的输出端连接,输出电压为U0,固定电阻R6的另一端和固定电阻R7的另一端与多路模拟开关模块的输出端连接,输入电压为Ui。
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