[实用新型]高纯锗探测器的高纯锗深孔锂蒸发设备有效
| 申请号： | 201621237021.6 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN206680565U | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 马佳林;徐强;侯瑞瑶;陈永林;游鑫俊;吴集明 | 申请（专利权）人： | 上海新漫传感技术研究发展有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/16 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所31280 | 代理人： | 乐卫国 |
| 地址： | 201821 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高纯锗探测器的高纯锗深孔锂蒸发设备，包括设置在底板上的高纯锗单晶，在高纯锗单晶的上方设置有可以移动的挡板，在挡板的上方设置有表面缠绕锂丝的钨丝电极，所述钨丝电极的位置与高纯锗单晶内孔位置对应，钨丝电极与高纯锗单晶之间通过一升降装置使得钨丝电极沿高纯锗单晶内孔上下方向进行相对运动。本实用新型通过升降装置，实现钨丝电极沿高纯锗单晶内孔方向进行相对运动，与现有技术相比，锂丝进入内孔后，蒸发在锗单晶中孔内表面的均匀度明显提高。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 探测器 锗深孔锂 蒸发 设备 | ||
【主权项】：
高纯锗探测器的高纯锗深孔锂蒸发设备，其特征在于，包括设置在底板上的高纯锗单晶，在高纯锗单晶的上方设置有可以移动的挡板，在挡板的上方设置有表面缠绕锂丝的钨丝电极，所述钨丝电极的位置与高纯锗单晶内孔位置对应，钨丝电极与高纯锗单晶之间通过一升降装置使得：钨丝电极沿高纯锗单晶内孔方向进行相对运动。
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