[实用新型]一种阶梯型源漏极欧姆接触氮化镓场效应管有效
| 申请号： | 201621248459.4 | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN206236673U | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 崔敬峰;张杨;毛明明;李煜炜;刘振奇 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/417 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 梁莹 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种阶梯型源漏极欧姆接触氮化镓场效应管，包括衬底，衬底外延生长过渡层，过渡层表面外延生长氮化镓层，氮化镓层表面外延生长有未掺杂铝镓氮层作为隔离层，未掺杂铝镓氮层表面外延生长有N型掺杂铝镓氮层，氮化镓层与未掺杂铝镓氮层之间形成有二维电子气，N型掺杂铝镓氮层和未掺杂铝镓氮层的边缘刻蚀形成为具有阶梯形状的侧壁，侧壁表面形成有源极和漏极，源极和漏极表面形成有多金属薄膜结构，N型掺杂铝镓氮层的表面形成有栅极。将源极和漏极在侧壁形成阶梯形状，这种形状增加了欧姆金属材料与半导体的接触面积，影响势垒形状，增大隧穿效应几率。且刻蚀深度非常接近二维电子气，使金属与二维电子气距离减小，可减小欧姆接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阶梯 型源漏极 欧姆 接触 氮化 场效应 | ||
【主权项】：
一种阶梯型源漏极欧姆接触氮化镓场效应管，包括有衬底，其特征在于：在所述衬底外延生长有过渡层，在所述过渡层表面外延生长有氮化镓层，在所述氮化镓层表面外延生长有未掺杂铝镓氮层作为隔离层，在所述未掺杂铝镓氮层表面外延生长有N型掺杂铝镓氮层，所述氮化镓层与未掺杂铝镓氮层由于自发极化和压电效应，在氮化镓层和隔离层之间形成有一层二维电子气，所述N型掺杂铝镓氮层和未掺杂铝镓氮层的边缘刻蚀形成为具有阶梯形状的侧壁，在所述侧壁表面形成有源极和漏极，在所述源极和漏极表面形成有多金属薄膜结构，在所述N型掺杂铝镓氮层的表面形成有栅极。
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