[实用新型]成像像素和电子设备有效

专利信息
申请号: 201621267520.X 申请日: 2016-11-23
公开(公告)号: CN209517346U 公开(公告)日: 2019-10-18
发明(设计)人: R·S·约翰森;T·格蒂斯;M·因诺森特 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H04N5/355 分类号: H04N5/355;H04N5/378
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 秦晨
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 实用新型涉及成像像素和电子设备。提供一种图像传感器,所述图像传感器可包括一个或多个具有耦合栅极结构的像素,所述耦合栅极结构可从光电二极管选择性地路由溢出电荷以增大所述像素的动态范围。所述耦合栅极结构可包括两个、三个或四个晶体管。在所述像素中的电荷积聚期间,溢出电荷可从光电二极管传递到所述耦合栅极结构以被选择性地路由到多个路径中的一者。用于所述耦合栅极结构中所述晶体管的子集的控制信号的时序可以交替,使得在任何给定时间仅一个晶体管是激活的,用以将电荷传递到所述多个路径中的一者。根据所选择的路径,溢出电荷可被路由到像素电压源或所述像素中的一个或多个存储节点。像素还可包括双增益结构,所述双增益结构可提供额外的电荷存储容量。
搜索关键词: 耦合栅极 像素 电荷 晶体管 路由 溢出 光电二极管 图像传感器 成像像素 电子设备 增益结构 电荷存储容量 本实用新型 时序 存储节点 电荷传递 电荷积聚 控制信号 像素电压 子集 激活 传递
【主权项】:
1.一种电子设备,其特征在于包括:第一节点;第二节点;以及耦合栅极结构,所述耦合栅极结构包括:第三节点;阈值晶体管,所述阈值晶体管耦接在所述第一节点与所述第三节点之间;第一晶体管,所述第一晶体管耦接到所述第三节点;以及第二晶体管,所述第二晶体管耦接在所述第三节点与所述第二节点之间,其中所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极被配置为在电荷积聚周期期间接收交替时序信号,使得在所述电荷积聚周期期间,所述第一晶体管仅在所述第二晶体管不激活时激活,并且在所述电荷积聚周期期间,所述第二晶体管仅在所述第一晶体管不激活时激活。
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