[实用新型]磁传感器阵列集成结构有效

专利信息
申请号: 201621283971.2 申请日: 2016-11-28
公开(公告)号: CN206331103U 公开(公告)日: 2017-07-14
发明(设计)人: 闻心怡;尤晓健;董海防;蔡如桦;刘禹希;马剑;陈刚 申请(专利权)人: 中国船舶重工集团公司第七一九研究所
主分类号: G01R33/02 分类号: G01R33/02
代理公司: 武汉智盛唯佳知识产权代理事务所(普通合伙)42236 代理人: 胡红林
地址: 430034 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型涉及一种磁传感器阵列集成结构,所述磁传感器阵列由偏置磁铁、体声波谐振器阵列芯片、芯片管脚、陶瓷封装基座、磁流体和玻璃覆片组成。所述体声波谐振器阵列芯片包括硅衬底、布拉格声反射层、底电极、压电薄膜层、顶电极、过孔填充、电极焊盘。本实用新型所涉及的磁传感器阵列首次提出了利用高频剪切波检测磁流体在饱和偏置场下对外磁场的流变响应的磁测量机理,充分利用磁流体响应范围广和厚度剪切波模式体声波谐振器分辨率高、集成高度高的优点,实现了一种高精度、宽量程的新型磁传感器阵列,可以有效满足微弱磁场成像对磁传感器阵列的技术需求。
搜索关键词: 传感器 阵列 集成 结构
【主权项】:
一种磁传感器阵列集成结构,其特征在于,包括:陶瓷封装基座,该基座内设有磁流体加注孔;体声波谐振器阵列芯片,设于所述陶瓷封装基座内;所述芯片包括位于顶端的电极焊盘;芯片管脚,其一端与所述电极焊盘连接,另一端位于所述陶瓷封装基座的下表面;磁流体,加注在所述磁流体加注孔内;以及偏置磁铁,设于所述陶瓷封装基座的底端。
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