[实用新型]高功率和高频率异质结场效应晶体管有效
| 申请号： | 201621285202.6 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN206412319U | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | F·尤克拉诺 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/28;H01L29/778;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,庞淑敏 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种高功率和高频率异质结场效应晶体管。在场效应晶体管包括主体，其包括第一半导体材料的沟道层；在所述沟道层之上的第二半导体材料的阻挡层；以及在所述阻挡层之上的钝化层；在所述主体中延伸的源极电极和漏极电极；栅极区，其在所述源极电极和所述漏极电极之间的主体中延伸；在所述栅极区之上和在所述钝化层之上的电介质层；以及导电材料的场板，其被耦合到所述源极电极且在包括于所述栅极区与所述漏极电极之间的区域中在所述电介质层内部延伸，该场板具有面对所述主体且具有多个台阶的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 频率 异质结 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种异质结场效应晶体管，包括：主体，其包括第一半导体材料的沟道层；在所述沟道层之上的第二半导体材料的阻挡层；以及在所述阻挡层之上的钝化层；在所述主体中延伸的源极电极和漏极电极；栅极区，其在所述源极电极和所述漏极电极之间的主体中延伸；在所述栅极区之上和在所述钝化层之上的电介质层；以及导电材料的场板，其被耦合到所述源极电极且在包括于所述栅极区与所述漏极电极之间的区域中在所述电介质层内部延伸，该场板具有面对所述主体且具有多个台阶的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
