[实用新型]一种阶梯脊型半导体激光器有效
| 申请号： | 201621287239.2 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN206195152U | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 朱振;张新;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/227 | 分类号： | H01S5/227;H01S5/343 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种阶梯脊型半导体激光器，该半导体激光器包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、第一上包层、第二上包层、第三上包层和接触层，所述第三上包层的厚度大于第二上包层的厚度，所述接触层与第三上包层构成第一条脊，所述第二上包层构成第二条脊，所述第二条脊的宽度大于第一条脊的宽度；制备步骤包括（1）在衬底上依次生长下包层、有源区、第一上包层、第二上包层、第三上包层和接触层；（2）将接触层上第一条形图以外的区域去除，深度至第三上包层底面，形成第一条脊；（3）去除第二上包层两侧部分，形成第二条脊。本实用新型使半导体激光器阈值电流及可靠性兼得，即可以获得较低的工作电流，又能具有较高的功率可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阶梯 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种阶梯脊型半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、第一上包层、第二上包层、第三上包层和接触层，其特征是：所述第三上包层的厚度大于第二上包层的厚度，所述接触层与第三上包层构成第一条脊，所述第二上包层构成第二条脊，所述第二条脊的宽度大于第一条脊的宽度。
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