[实用新型]一种半导体材料少子寿命测量装置有效
| 申请号： | 201621287780.3 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN206177794U | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 卜毅;邹继军 | 申请（专利权）人： | 东华理工大学 |
| 主分类号： | G01N21/00 | 分类号： | G01N21/00;G01N27/00 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330013 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体材料少子寿命测量装置，其特征在于，它包括光源、测量台、微处理器、设置在微处理器内部的片内A/D转换器、显示器和控制器，光源位于测量台正上方，测量台连接有恒流源和高速放大器；高速放大器一方面与片内A/D转换连接，另一方面高速放大器与微处理器之间还连接有两个比较器，微处理器通过两个D/A转换模块分别与两个比较器的输入端连接，其中一个比较器用于控制微处理器内部计时器的启动，另一个比较器用于计时器的停止，所述恒流源、显示器和控制器分别与微处理器连接。本实用新型，测试过程与样品无需接触，设备结构简单、成本低廉、使用方便，且很容易实现半导体材料短寿命测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 少子 寿命 测量 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体材料少子寿命测量装置，其特征在于，它包括光源、测量台、微处理器、设置在微处理器内部的片内A/D转换器、显示器和控制器，光源位于测量台正上方，测量台连接有恒流源和高速放大器；高速放大器一方面与片内A/D转换连接，另一方面高速放大器与微处理器之间还连接有两个比较器，微处理器通过两个D/A转换模块分别与两个比较器的输入端连接，其中一个比较器用于控制微处理器内部计时器的启动，另一个比较器用于计时器的停止，所述恒流源、显示器和控制器分别与微处理器连接。
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