[实用新型]一种高功放芯片保护电路有效
| 申请号： | 201621301172.3 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN206195729U | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 方晨炯 | 申请（专利权）人： | 无锡华测电子系统有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/52 | 分类号： | H03F1/52 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙)32228 | 代理人： | 张悦,聂启新 |
| 地址： | 214072 江苏省无锡市蠡园开发*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高功放芯片保护电路，包括门电路、开关驱动器、FET管和负电保护电路；所述负电保护电路的输出端，连接所述门电路的使能端，负电保护电路的输入端，连接高功放芯片的栅压端；所述门电路的输出端连接所述开关驱动器的输入端；所述开关驱动器的输出端连接FET管的栅极；FET管的漏极连接高功放芯片的漏压端；还包括下拉电阻和上拉电阻；所述下拉电阻一端连接所述开关驱动器的输入端，另一端接地；所述上拉电阻一端连接所述FET管的输入端，另一端连接电源电压。本实用新型可提高高功放芯片使用时的稳定性，降低高功放芯片的损坏率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功放 芯片 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种高功放芯片保护电路，其特征在于：包括门电路(A1)、开关驱动器(A2)、FET管(A3)和负电保护电路；所述负电保护电路包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)和三极管(T)；所述第一二极管(D1)的负极连接所述第二二极管(D2)的负极；所述三极管(T)的基极连接所述第一二极管(D1)和所述第二二极管(D2)的公共端；所述第一电阻(R1)和所述第二电阻(R2)相串联，此串联支路一端作为负电保护电路的输出端，连接所述门电路(A1)的使能端，另一端连接所述第一二极管(D1)的正极；所述第一电阻(R1)和所述第二电阻(R2)的公共端连接电源电压；所述第二二极管(D2)的负极作为所述负电保护电路的输入端，连接高功放芯片的栅压端；所述三极管(T)的集电极连接于负电保护电路的输出端；所述三极管(T)的发射极接地；所述门电路(A1)的输出端连接所述开关驱动器(A2)的输入端；所述开关驱动器(A2)的输出端连接FET管(A3)的栅极；FET管(A3)的漏极连接高功放芯片的漏压端；还包括下拉电阻(R3)和上拉电阻(R4)；所述下拉电阻(R3)一端连接所述开关驱动器(A2)的输入端，另一端接地；所述上拉电阻(R4)一端连接所述FET管(A3)的输入端，另一端连接电源电压。
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