[实用新型]一种用于全桥整流的新型肖特基器件

摘要

本实用新型公开了一种适用于全桥整流的肖特基器件；该器件具有通过P‑外延层隔离形成的四个独立的N‑外延岛，每个N‑外延岛表面都有一个肖特基势垒结，在每个势垒区边缘处，都分别有P+保护环、绝缘介质层，分别与每个肖特基势垒结相连接的金属层形成器件的电极，第一电极与第三电极相连，构成整流器件的共阳输出极；第二电极、第四电极形成整流器件的两个输入极；背面电极为整流器件的共阴输出极；通过新颖的结构设计，一颗本实用新型的肖特基器件，可实现全桥整流功能，而传统的半桥整流器件，需要四颗传统的肖特基器件组合封装才能实现且封装制程复杂、成品率低，而本实用新型的肖特基器件，可简化封装难度、提高封装成品率。

主权项

一种用于全桥整流的新型肖特基器件（0），其特征在于结构包括：有四个独立的N‑外延岛，分别为第一N‑外延岛（1）、第二N‑外延岛（2）、第三N‑外延岛（3）、第四N‑外延岛（4），四个N‑外延岛的上表面分别都有一个肖特基势垒结，分别为第一肖特基势垒结（12）、第二肖特基势垒结（22）、第三肖特基势垒结（32）、第四肖特基势垒结（42），在每个势垒区边缘处，都分别有P+保护环，分别为第一P+保护环（11）、第二P+保护环（21）、第三P+保护环（31）、第四P+保护环（41），在每个P+保护环的外侧，都有绝缘介质层（8），在每个肖特势垒区上有金属层形成器件的电极，分别为第一电极（13）、第二电极（23）、第三电极（33）、第四电极（43），第一电极与第三电极相连，构成整流器件的共阳输出极；第二N‑外延岛、第四N‑外延岛侧壁与低掺杂浓度的P型外延层P‑相接，底部与高浓度的N型单晶硅片N+相接；第一N‑外延岛、第三N‑外延岛分别被高浓度掺杂的第一N++区（14）、第三N++区（34）包围，第一N++区、第三N++区分别被处于第一N+硅刻蚀区（100）、第三N+硅刻蚀区（300）上方的P型外延层P‑包围，并且第一N++区与第二电极相连，第三N++区与第四电极相连，第二电极、第四电极分别形成整流器件的两个输入极；在单晶片N+的底部蒸发金属层形成背面电极（9），构成整流器件的共阴输出极。