[实用新型]控制装置有效
| 申请号： | 201621311207.1 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN206226399U | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | D·朱斯;J·C·J·杰森斯 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H03K17/14 | 分类号： | H03K17/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及控制装置。本实用新型的一个实施例解决的技术难题是，HV MOS晶体管的泄漏电流可能过高而使所述晶体管不能用于超低电流装置。技术效果是，使HV MOS晶体管能够用于超低电流操作。一种具有超低电流要求的示例性控制装置，所述控制装置包括控制信号线；控制电流源；高压金属氧化物半导体(“HV MOS”)控制晶体管，其有选择地将所述控制电流源耦接到所述控制信号线，所述控制晶体管还将寄生泄漏电流耦接到所述控制信号线；以及补偿电流源，其耦接到所述控制信号线以提供补偿电流，所述补偿电流源包括HV MOS补偿晶体管，所述补偿晶体管将所述补偿电流与所述寄生泄漏电流匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 装置 | ||
【主权项】：
一种控制装置，其特征在于所述控制装置包括：控制信号线；控制电流源；高压金属氧化物半导体HV MOS控制晶体管，所述控制晶体管选择性地将所述控制电流源耦接至所述控制信号线，所述控制晶体管还将寄生泄漏电流耦接至所述控制信号线；以及耦接至所述控制信号线以提供补偿电流的补偿电流源，所述补偿电流源包括将所述补偿电流与所述寄生泄漏电流匹配的HV MOS补偿晶体管。
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