[实用新型]一种抗PID高效PERL电池有效
申请号: | 201621317255.1 | 申请日: | 2016-12-03 |
公开(公告)号: | CN206460961U | 公开(公告)日: | 2017-09-01 |
发明(设计)人: | 周军勇;周喜明;王庆钱 | 申请(专利权)人: | 浙江鸿禧能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0236 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 314206 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种抗PID高效PERL电池,包括正电极和背电极,铝背场及P型硅衬底;所述的P型硅衬底一面为绒面结构,一面为平滑结构;其中所述绒面结构上依次沉积浓磷(N+)、淡磷(N)分区扩散层,氧化硅层,氮化硅与氧化硅组合减反射膜层,正电极;所述平滑面上依次沉积局部定域扩散P+层,氧化铝层,氮化硅层,背面AL电极;所述的正电极与背电极均通过开通孔与P+层和N+层相连;所述的正电极、背电极及背场均通过丝网印刷形成;所述的通孔均通过激光打孔或光刻形成。本实用新型的有益效果是在硅片表面形成良好的抗PID减反射膜,提升开路电压与短路电流,提高光电转换效率,降低组件衰减率。 | ||
搜索关键词: | 一种 pid 高效 perl 电池 | ||
【主权项】:
一种抗PID高效PERL电池,包括正电极和背电极,铝背场及P型硅衬底,其特征在于:所述的P型硅衬底一面为绒面结构,一面为平滑结构;所述的正电极与背电极均通过开通孔与P+层和N+层相连;所述的正电极、背电极及背场均通过丝网印刷形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的