[实用新型]一种快速响应的功率管多重保护电路有效
| 申请号： | 201621331111.1 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN206250758U | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 俞德军;孙晓良 | 申请（专利权）人： | 成都锦瑞芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/20 | 分类号： | H02H7/20 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司51230 | 代理人： | 李春芳 |
| 地址： | 610097 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种快速响应的功率管多重保护电路,本实用新型涉及功率MOSFET驱动电路技术领域，解决现有技术在功率管MOSFET工作时电路出现电压、电流过冲和过温所导致功率管MOSFET烧毁失效等技术问题。本实用新型主要包括参考电压源、高速比较器、PTAT电流源和正反馈关断电路。本实用新型用于功率MOSFET驱动电路设计。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 响应 功率管 多重 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种快速响应的功率管多重保护电路，其特征在于，包括过流保护电路，检测功率管电源输入端的接入电压且由接入电压选择地控制功率管的关断；短路保护电路，检测功率管输出端的工作电压且由工作电压选择地控制功率管的关断；过温保护电路，检测功率管结温所对应的电参数且由超出阈值的电参数触发所述过流保护电路关断功率管。
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