[实用新型]一种用于库特勒湿刻蚀1号槽添加水膜装置有效
| 申请号： | 201621333195.2 | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN206312871U | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 沈杰 | 申请（专利权）人： | 百力达太阳能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司31001 | 代理人： | 翁若莹 |
| 地址： | 314500 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于库特勒湿刻蚀1号槽添加水膜装置，包括纯水箱，纯水箱与管路的一端连接，管路的另一端设于库特勒湿刻蚀1号槽上，其特征在于，所述的库特勒湿刻蚀1号槽内设有水刀。本实用新型中用于库特勒湿刻蚀1号槽上加装一把水刀，用于库特勒湿刻蚀1号槽通过水刀接着机台上的纯水让片子流过1号槽时上表面覆盖一层水膜，不仅可以去除现有湿法刻蚀工艺中产生的多余刻蚀区域，增加PN结的有效受光面积，提高光电转换效率，而且可消除因刻蚀槽内气泡炸裂刻蚀药液飞溅、槽体上方凝结的刻蚀药液液滴滴落、排风不稳定、流量异常等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 库特勒湿 刻蚀 添加 装置 | ||
【主权项】：
一种用于库特勒湿刻蚀1号槽添加水膜装置，包括纯水箱(4)，纯水箱(4)与管路(7)的一端连接，管路(7)的另一端设于库特勒湿刻蚀1号槽上，其特征在于，所述的库特勒湿刻蚀1号槽内设有水刀(3)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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