[实用新型]离子中和反应器及离子植入设备有效

专利信息
申请号: 201621363158.6 申请日: 2016-12-12
公开(公告)号: CN206259318U 公开(公告)日: 2017-06-16
发明(设计)人: 许飞 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317;H01J37/30
代理公司: 上海光华专利事务所31219 代理人: 余明伟
地址: 100176 北京市大兴*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型提供一种离子中和反应器及离子植入设备,所述离子中和反应器包括二次电子发射装置、电子阻挡装置,其中,所述二次电子发射装置包括灯丝和金属套筒,所述灯丝两端设置有灯丝电源,所述金属套筒套置于所述灯丝外围;所述电子阻挡装置位于所述二次电子发射装置外侧,包括第一部分和第二部分,所述第一部分上设置有开口,所述开口与所述二次电子发射装置的电子发射位置对应,所述离子束从所述电子阻挡装置第一部分和第二部分之间通过。使用本实用新型所提供的离子中和反应器,可以在不通入任何气体的情况下产生电子来中和离子束所携带的正电荷,并可以按照需要获得足够多的二次电子。
搜索关键词: 离子 中和 反应器 植入 设备
【主权项】:
一种离子中和反应器,用于中和离子注入过程中离子束所携带的正电荷,其特征在于,所述离子中和反应器包括二次电子发射装置、电子阻挡装置,所述二次电子发射装置包括灯丝和金属套筒,其中,所述灯丝两端设置有灯丝电源,所述金属套筒套置于所述灯丝外围;所述电子阻挡装置位于所述二次电子发射装置外侧,包括第一部分和第二部分,其中,所述第一部分上设置有开口,所述开口与所述二次电子发射装置的电子发射位置对应;所述离子束从所述电子阻挡装置第一部分和第二部分之间通过,并到达接受离子注入的晶圆。
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