[实用新型]高迁移率氮化镓半导体器件有效
| 申请号： | 201621363837.3 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN206312900U | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 金荣善 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 郑彤,万志香 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市唐家湾镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高迁移率氮化镓半导体器件，该高迁移率氮化镓半导体器件包括基板；设置于所述基板上的氮化铝晶种层；设置于所述氮化铝晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的非有意掺杂氮化镓层；设置于所述非有意掺杂氮化镓层上的通道层，所述通道层为氮化铟镓层、氮化铝镓层或复合层；设置于所述通道层上的第二氮化铝镓层；以及设置于所述第二氮化铝镓层上的氮化镓帽层。上述氮化镓半导体器件能改善氮化镓功率器件的电子迁移率特性，可以改善使用un‑GaN/InGaN/AlGaN layer的2DEG的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 迁移率 氮化 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种高迁移率氮化镓半导体器件，其特征在于，包括：基板；设置于所述基板上的氮化铝晶种层；设置于所述氮化铝晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的非有意掺杂氮化镓层；设置于所述非有意掺杂氮化镓层上的通道层，所述通道层为氮化铟镓层、氮化铝镓层或复合层；设置于所述通道层上的第二氮化铝镓层；以及设置于所述第二氮化铝镓层上的氮化镓帽层。
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