[实用新型]一种薄膜热电模块有效
申请号: | 201621372521.0 | 申请日: | 2016-12-14 |
公开(公告)号: | CN206401363U | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 虞澜;宋世金;刘丹丹;谈文鹏;胡建力;刘安安 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | H01L35/32 | 分类号: | H01L35/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 650093 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种薄膜热电模块,属于功能薄膜材料及器件领域。包括上部N型热电臂阵列,由N型半导体薄膜在单晶衬底Ⅰ的下表面倾斜布置;下部P型热电臂阵列,由P型半导体薄膜在单晶衬底Ⅱ的上表面倾斜布置;隔离层,包括工字形绝缘隔层和金电极阵列。所述上部N型热电臂阵列和下部P型热电臂阵列由所述隔离层隔开,并由金电极连接成两个独立的串联通路;所述上部N型热电臂阵列、下部P型热电臂阵列和隔离层的相对位置由位于其侧面的通孔、插销固定。本实用新型相比现有薄膜热电模块单位面积上的输出功率密度显著提高,P、N型热电臂可单独更换,构型灵活,且衬底作为薄膜物理支撑的同时起到封装作用,制造成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 热电 模块 | ||
【主权项】:
一种薄膜热电模块,其特征在于:包括N型热电臂阵列(1)、P型热电臂阵列(2)、隔离层(3),N型热电臂阵列(1)包括一个以上的N型半导体薄膜(11)和单晶衬底Ⅰ(12),N型半导体薄膜(11)倾斜生长在单晶衬底Ⅰ(12)上;P型热电臂阵列(2)包括一个以上的P型半导体薄膜(21)和单晶衬底Ⅱ(22),P型半导体薄膜(21)倾斜生长在单晶衬底Ⅱ(22)上;N型热电臂阵列(1)、P型热电臂阵列(2)由隔离层(3)隔开,并固定在一起,N型热电臂阵列(1)和P型热电臂阵列(2)均是生长有半导体薄膜的一面与隔离层(3)接触;N型半导体薄膜(11)与P型半导体薄膜(21)呈X形交叉分布,N型半导体薄膜(11)与P型半导体薄膜(21)的两端由电极(5)依次连接,形成两个独立的串联通路,电极(5)位于隔离层(3)的两侧。
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