[实用新型]晶体硅太阳能电池有效
| 申请号： | 201621373391.2 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN206401339U | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 万雨挺 | 申请（专利权）人： | 3M中国有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/05 | 分类号： | H01L31/05 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 牛海军 |
| 地址： | 200233 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种晶体硅太阳能电池，其包括依次层叠的金属箔(1)、第一导电胶层(2)、晶体硅太阳能电池片(3)以及在所述晶体硅太阳能电池片(3)上设置的至少一条焊带(5)，其中所述焊带(5)通过第二导电胶层(4)与所述晶体硅太阳能电池片(3)结合。根据本实用新型的技术方案所得到的晶体硅太阳能电池在弯折处理后具有与弯折处理前基本一致的发电功率，即晶体硅太阳能电池具有良好的抗裂性能，具有与薄膜太阳能电池相似的柔性特征。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池，所述晶体硅太阳能电池包括依次层叠的金属箔(1)、第一导电胶层(2)、晶体硅太阳能电池片(3)以及在所述晶体硅太阳能电池片(3)上设置的至少一条焊带(5)，其中所述焊带(5)通过第二导电胶层(4)与所述晶体硅太阳能电池片(3)结合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
