[实用新型]图像传感器像素的阵列和系统有效
| 申请号： | 201621380235.9 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN206322694U | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | S·伯萨克;U·博提格;R·莫里兹森 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及图像传感器像素的阵列和系统。所述图像传感器像素阵列包括半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一侧和第二侧；第一光电二极管区，所述第一光电二极管区通过所述第一侧注入在所述半导体衬底中；以及第二光电二极管区，所述第二光电二极管区通过所述第二侧注入在所述半导体衬底中，其中所述第二光电二极管区与所述第一光电二极管区在所述半导体衬底中重叠。本实用新型解决的一个技术问题是在衬底表面下的更深处注入光电二极管以便增加传感器的集光效率。本实用新型实现的一个技术效果是从衬底的顶表面和底表面两者注入光电二极管以增加光电二极管在衬底中的有效深度。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 像素 阵列 系统 | ||
【主权项】：
一种图像传感器像素的阵列，其特征在于包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一侧和第二侧；第一光电二极管区，所述第一光电二极管区通过所述第一侧注入在所述半导体衬底中；以及第二光电二极管区，所述第二光电二极管区通过所述第二侧注入在所述半导体衬底中，其中所述第二光电二极管区与所述第一光电二极管区在所述半导体衬底中重叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司，未经半导体元件工业有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201621380235.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
