[实用新型]热学腔室有效

专利信息
申请号: 201621383412.9 申请日: 2016-12-16
公开(公告)号: CN206332060U 公开(公告)日: 2017-07-14
发明(设计)人: 栗田真一;稻川真;苏哈斯·博斯克 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L21/67
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 代理人: 徐金国,赵静
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本文所述实施方式涉及热学腔室。所述热学腔室可为配置用于制造OLED装置的较大处理系统的部分。所述热学腔室可配置成加热和冷却用于所述处理系统中的沉积工艺的掩模和/或基板。所述热学腔室可包括腔室主体,所述腔室主体限定大小适于接收容纳多个掩模和/或基板的一或多个晶盒的空间。在所述空间内耦接到所述腔室主体的加热器可配置成以可控制的方式在沉积工艺前加热掩模和/或基板和在沉积工艺后冷却掩模和/或基板。
搜索关键词: 热学
【主权项】:
一种热学腔室,其特征在于,所述热学腔室包括:腔室主体,所述腔室主体限定大小适于接收一或多个掩模和/或基板在其中的空间;盖构件,所述盖构件可滑动地耦接到所述空间外的所述腔室主体;加热构件,所述加热构件耦接到所述空间内的所述腔室主体;测温设备,所述测温设备耦接到所述腔室主体;以及平台,所述平台与所述盖构件相对地设置在所述空间内,其中所述平台可移动地耦接到所述腔室主体。
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