[实用新型]热学腔室有效
申请号: | 201621383412.9 | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN206332060U | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 栗田真一;稻川真;苏哈斯·博斯克 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文所述实施方式涉及热学腔室。所述热学腔室可为配置用于制造OLED装置的较大处理系统的部分。所述热学腔室可配置成加热和冷却用于所述处理系统中的沉积工艺的掩模和/或基板。所述热学腔室可包括腔室主体,所述腔室主体限定大小适于接收容纳多个掩模和/或基板的一或多个晶盒的空间。在所述空间内耦接到所述腔室主体的加热器可配置成以可控制的方式在沉积工艺前加热掩模和/或基板和在沉积工艺后冷却掩模和/或基板。 | ||
搜索关键词: | 热学 | ||
【主权项】:
一种热学腔室,其特征在于,所述热学腔室包括:腔室主体,所述腔室主体限定大小适于接收一或多个掩模和/或基板在其中的空间;盖构件,所述盖构件可滑动地耦接到所述空间外的所述腔室主体;加热构件,所述加热构件耦接到所述空间内的所述腔室主体;测温设备,所述测温设备耦接到所述腔室主体;以及平台,所述平台与所述盖构件相对地设置在所述空间内,其中所述平台可移动地耦接到所述腔室主体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201621383412.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择