[实用新型]一种厚膜银基陶瓷熔断片有效
申请号: | 201621384060.9 | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN206236635U | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 蒋勇;康丁华;李洪良;刘溪海;吴梦华 | 申请(专利权)人: | 康文涛 |
主分类号: | H01H85/08 | 分类号: | H01H85/08 |
代理公司: | 长沙楚为知识产权代理事务所(普通合伙)43217 | 代理人: | 李大为 |
地址: | 417000 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本实用新型提供一种厚膜银基陶瓷熔断片,包括熔断片本体;所述熔断片本体正面的中部均匀设置有三根激光线3,所述熔断片本体正反两面均包括镀银区1和未镀银区2,所述镀银区1的形状为近似“H”型,且所述镀银区“‑”区12的宽度比所述镀银区“I”区11的长度短0.05~0.1cm;所述熔断片本体正面的镀银区“I”区11表面设置有焊锡区4,所述焊锡区4的表面焊接有焊接件5;所述焊接件5表面设置有焊接孔。本实用新型提供的一种表面敷银的保险陶瓷基片,解决熔断片接触不良和易磨损的问题,通过改良熔断片的结构,灵敏度高,适用于大电流工作环境。 | ||
搜索关键词: | 一种 厚膜银基 陶瓷 熔断 | ||
【主权项】:
一种厚膜银基陶瓷熔断片,其特征在于,包括熔断片本体;所述熔断片本体正面的中部均匀设置有三根激光线,所述熔断片本体正反两面均包括镀银区和未镀银区,所述镀银区的形状为近似“H”型,且所述镀银区“‑”区的宽度比所述镀银区“I”区的长度短0.05~0.1cm;所述熔断片本体正面的镀银区“I”区表面设置有焊锡区,所述焊锡区的表面焊接有焊接件;所述焊接件表面设置有焊接孔。
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