[实用新型]一种基于远场涡流的金属管道缺陷检测装置有效

专利信息
申请号: 201621390171.0 申请日: 2016-12-14
公开(公告)号: CN206270297U 公开(公告)日: 2017-06-20
发明(设计)人: 申屠锋营;楼伟民;沈常宇;朱周洪;王友清;帅少杰;孙志强;朱莺;刘泽旭;邵方可;杨泽林;李光海 申请(专利权)人: 中国计量大学
主分类号: G01N27/90 分类号: G01N27/90
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310018 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种基于远场涡流的金属管道缺陷检测装置,由计算机、STM32开发板、功率放大器、第一激励线圈、第二激励线圈、第一检测线圈、第二检测线圈、驱动杆、进步电机和屏蔽盘组成;计算机控制STM32开发板产生一个正弦信号,经过功率放大器放大后,加载到第一激励线圈与第二激励线圈上,产生的磁场传播时有两个不同的耦合路径,一个是间接耦合能量路径,另一个是直接耦合能量路径,通过第一检测线圈和第二检测线圈来测量间接耦合磁场信号,并将信号采集进STM32开发板,通过观察信号的幅值以及相位的变化就能直观的显示是否有缺陷了,本实用新型无需霍尔元件和示波器,具有可操作性强,成本低等特点,可以应用于各类实际工程中。
搜索关键词: 一种 基于 涡流 金属 管道 缺陷 检测 装置
【主权项】:
一种基于远场涡流的金属管道缺陷检测装置,由计算机(1)、STM32开发板(2)、功率放大器(3)、第一激励线圈(4)、第二激励线圈(5)、第一检测线圈(6)、第二检测线圈(7)、驱动杆(8)、进步电机(9)和屏蔽盘(10)组成;计算机(1)控制STM32开发板(2)产生一个正弦信号,经过功率放大器(3)放大后,加载到第一激励线圈(4)与第二激励线圈(5)上,产生的磁场传播时有两个不同的耦合路径,一个是间接耦合能量路径,另一个是直接耦合能量路径,通过第一检测线圈(6)和第二检测线圈(7)来测量间接耦合磁场信号,并将信号采集进STM32开发板(2),通过观察信号的幅值以及相位的变化就能直观的显示是否有缺陷了,驱动杆(8)由进步电机(9)提供动能实现扫描,屏蔽盘(10)用来加速直接耦合磁场的衰减。
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