[实用新型]一种碳化硅晶体生长装置有效
| 申请号： | 201621394241.X | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN206624944U | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 高超;宗艳民;赵吉强;刘家朋 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司37205 | 代理人： | 苗峻 |
| 地址： | 250000 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体生长装置，包括坩埚，坩埚上设有坩埚盖，坩埚盖下部设有籽晶托，籽晶托上粘有籽晶，坩埚壁顶部设有至少一个凹槽I，坩埚盖上设有至少一个与凹槽I相适应的凸起，凹槽I和相应凸起之间形成曲折通道；坩埚内部套有与坩埚同轴且顶端低于坩埚顶端的内筒，所述的内筒由石墨滤网围绕而成；内筒顶端外沿与坩埚内壁之间设有挡板；所述的石墨滤网两侧表面均涂有耐高温金属化合物涂层；所述的籽晶托为真空结构且粘贴籽晶的面上设有凹槽II；所述的籽晶托与内筒同轴且其直径与内筒内径相同。采用本实用新型既避免了碳化硅蒸汽外逸又保证了碳化硅晶体均匀、高质量生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体生长 装置 | ||
【主权项】：
一种碳化硅晶体生长装置，包括坩埚(1)，坩埚(1)上设有坩埚盖(2)，坩埚盖(2)下部设有籽晶托(3)，籽晶托(3)上粘有籽晶(4)，其特征在于：坩埚(1)壁顶部设有至少一个凹槽I(5)，坩埚盖(2)上设有至少一个与凹槽I(5)相适应的凸起(6)，凹槽I(5)和相应凸起(6)之间形成曲折通道(7)；坩埚(1)内部套有与坩埚(1)同轴且顶端低于坩埚顶端的内筒，所述的内筒由石墨滤网(8)围绕而成；内筒顶端外沿与坩埚内壁之间设有挡板(9)；所述的石墨滤网(8)两侧表面均涂有耐高温金属化合物涂层(10)；所述的籽晶托(3)为真空结构且粘贴籽晶的面上设有凹槽II(11)；所述的籽晶托(3)与内筒同轴且其直径与内筒内径相同。
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