[实用新型]冷却气体进料块和处理腔室有效
申请号: | 201621395316.6 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN206574680U | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 戈文达·瑞泽;哈里斯·库马尔·帕纳瓦拉菲·库马兰库蒂;林·张;斯坦利·吴 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本实用新型公开了冷却气体进料块和处理腔室。所述冷却气体进料块具有主体。所述主体具有主中心部分,所述主中心部分具有顶表面和底表面。所述主体还具有凸缘,所述凸缘从所述主中心部分的所述底表面向外延伸。气体通道穿过所述主体设置。所述气体通道具有在所述主中心部分的所述顶表面中形成的入口和在所述主中心部分的所述底表面中形成的出口。所述主体还具有中心冷却剂通道。所述中心冷却剂通道具有第一部分和耦接至所述第一部分的第二部分,所述第一部分具有在所述主中心部分的顶表面中形成的入口,所述第二部分具有在所述凸缘的侧壁上形成的出口。 | ||
搜索关键词: | 冷却 气体 进料 处理 | ||
【主权项】:
一种冷却气体进料块,其特征在于,所述冷却气体进料块包括:主体,所述主体包括:主中心部分,所述主中心部分具有顶表面和底表面;以及凸缘,所述凸缘从所述主中心部分的所述底表面向外延伸;气体通道,所述气体通道穿过所述主体设置,所述气体通道具有在所述主中心部分的所述顶表面中形成的入口和在所述主中心部分的所述底表面中形成的出口;以及中心冷却剂通道,所述中心冷却剂通道包括:第一部分,所述第一部分具有在所述主中心部分的所述顶表面中形成的入口;以及第二部分,所述第二部分耦接至所述第一部分,所述第二部分具有在所述凸缘的侧壁上形成的出口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造