[实用新型]一种防止电嘴半导体块崩角的试验夹具有效
| 申请号： | 201621397013.8 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN206563757U | 公开（公告）日： | 2017-10-17 |
| 发明（设计）人： | 宋乐;李忠祥;胡冬兰 | 申请（专利权）人： | 陕西航空电气有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R1/04 | 分类号： | G01R1/04 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心61204 | 代理人： | 陈星 |
| 地址： | 713107 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型提出一种防止电嘴半导体块崩角的试验夹具，包括壳体、定位套、中心电极、侧电极和半导体块；侧电极外端具有向内的L型台阶；在侧电极与半导体块装配后，L型台阶与半导体块外边缘棱角贴合并包覆；侧电极与半导体块接触面的光洁度为Ra0.8；中心电极外端帽盖与芯杆为一体结构，帽盖与芯杆的T型根部清根；中心电极与半导体块装配后，中心电极外端帽盖与侧电极L型台阶共同定位半导体块；中心电极与半导体块接触面的光洁度为Ra0.8。本实用新型能有效保护半导体放电端外边缘棱角，有效减少半导体工作时电蚀造成崩角的问题，提高中心电极、侧电极与半导体块接触面的光洁度，减少电极腐蚀，提高试验夹具的寿命，侧电极L型台阶的定位作用，简化了装配过程，提高了装配效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 半导体 块崩角 试验 夹具 | ||
【主权项】：
一种防止电嘴半导体块崩角的试验夹具，包括壳体、定位套、中心电极、侧电极和半导体块；其特征在于：侧电极外端具有向内的L型台阶；在侧电极与半导体块装配后，L型台阶与半导体块外边缘棱角贴合并包覆；侧电极与半导体块接触面的光洁度为Ra0.8；中心电极外端帽盖与芯杆为一体结构，帽盖与芯杆的T型根部清根；中心电极与半导体块装配后，中心电极外端帽盖与侧电极L型台阶共同定位半导体块；中心电极与半导体块接触面的光洁度为Ra0.8。
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