[实用新型]一种低温升高气密性肖特基二极管有效
| 申请号： | 201621402132.8 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN206340552U | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 洪旭峰 | 申请（专利权）人： | 上海芯石微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201605 上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种低温升高气密性肖特基二极管的结构；该肖特基二极管具有缓冲层与漂移层双层外延结构，在同等面积下较传统肖特基二极管具有低的正向饱和压降低温升的优势，同时在终端引入钝化层，较传统肖特基二极管相比封装后气密性更好，提升了肖特基二极管在高温高湿环境中工作的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 升高 气密性 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管结构，其特征在于：双层外延，在N+衬底上通过外延生长方式形成缓冲层与漂移层；终端钝化层，在终端氧化层与阳极金属边缘覆盖含氮化物的钝化层。
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