[实用新型]一种基于精密薄膜电阻和电容峰化的光电探测器有效
申请号: | 201621404934.2 | 申请日: | 2016-12-20 |
公开(公告)号: | CN206311208U | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 汪金华;庄永河;李鸿高;尚玉凤 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 |
主分类号: | G01J1/44 | 分类号: | G01J1/44;G01N21/01;G01H9/00 |
代理公司: | 合肥天明专利事务所(普通合伙)34115 | 代理人: | 王丽丽,金凯 |
地址: | 230088 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种基于精密薄膜电阻和电容峰化的光电探测器,包括壳体、金属光纤及安装于壳体底部的陶瓷薄膜基板,所述陶瓷薄膜基板上设有金属载体及与金属载体电连接的电阻桥模块、裸芯片元件和无源器件,所述金属载体上设有光电二极管,所述壳体上设有开孔,所述金属光纤通过开孔插入壳体内且其端部与光电二极管呈相对设置。本实用新型采用精密薄膜混合集成电路技术,通过特定形状和阻值的精密薄膜板载电阻,优化设计的精密成膜导带和旁路电路布局,使电路实现小型化和高性能。引入峰化分布电容,实现产品带宽峰化和扩展,并对跨阻进行优化配对调整,可以实现多种跨阻规格系列化产品扩展开发。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 精密 薄膜 电阻 电容 光电 探测器 | ||
【主权项】:
一种基于精密薄膜电阻和电容峰化的光电探测器,其特征在于:包括壳体(1)、金属光纤(2)及安装于壳体(1)底部的陶瓷薄膜基板(3),所述陶瓷薄膜基板(3)上设有金属载体(4)及与金属载体(4)电连接的电阻桥模块(5)、裸芯片元件(6)和无源器件(7),所述金属载体(4)上设有光电二极管(8),所述壳体(1)上设有开孔,所述金属光纤(2)通过开孔插入壳体(1)内且其端部与光电二极管(8)呈相对设置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十三研究所,未经中国电子科技集团公司第四十三研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201621404934.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。