[实用新型]一种预防芯片断裂装置有效
申请号: | 201621419853.X | 申请日: | 2016-12-23 |
公开(公告)号: | CN206412320U | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | 蒋永栋 | 申请(专利权)人: | 海太半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 无锡市朗高知识产权代理有限公司32262 | 代理人: | 赵华 |
地址: | 214000 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种预防芯片断裂装置,包括壳体,其特征在于,所述壳体的下方固定连接在基座上;所述壳体的内部依次安装有顶穹、顶针座、连接杆和1号滑块;所述顶穹包括上凸台和下凸台,所述上凸台上安装有顶针,所述下凸台由下向上开设有方形凹槽;所述顶针座包括与方形凹槽配合设置的上凸块和安装在上凸块下方的下凸块;所述下凸块与连接杆配合连接;本实用新型在生产过程中能对芯片的平整度贴合度及时检测并调整,防止在堆叠过程中芯片发生断裂,提高了产品的合格率,降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 预防 芯片 断裂 装置 | ||
【主权项】:
一种预防芯片断裂装置,包括:壳体(1),其特征在于,所述壳体(1)的下方固定连接在基座(2)上;所述壳体(1)的内部依次安装有顶穹(3)、顶针座(4)、连接杆(5)和1号滑块(6);所述顶穹(3)包括:上凸台(301)和下凸台(302),所述上凸台(301)上安装有顶针(7),所述下凸台(302)由下向上开设有方形凹槽;所述顶针座(4)包括:与方形凹槽配合设置的上凸块(401)和安装在上凸块(401)下方的下凸块(402);所述下凸块(402)与连接杆(5)配合连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海太半导体(无锡)有限公司,未经海太半导体(无锡)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201621419853.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高功率和高频率异质结场效应晶体管
- 下一篇:一种半导体蚀刻间污染物处理系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造