[实用新型]一种低驱动电压铌酸锂电光调制器

摘要

本实用新型公开了一种低驱动电压铌酸锂电光调制器，通过在X切Y传铌酸锂晶体上制作脊型波导结构，并将电光调制器的电极结构制作于脊型波导结构的两侧，使电光调制器电极结构之间的电场可以沿着水平方向分布。与现有铌酸锂电光调制器相比，本实用新型提出的铌酸锂电光调制器可以大幅提升电场对光场的调制效率，降低器件的驱动电压。另外在其他方案中，还可以采用低介电常数材料作为铌酸锂薄膜的基底晶片并在铌酸锂薄膜上制作脊型波导结构，既可以有效地提升铌酸锂电光调制器的工作带宽，又可以降低铌酸锂电光调制器的驱动电压。

主权项

一种低驱动电压铌酸锂电光调制器，其特征在于，包括铌酸锂晶片(1)、脊型结构(2)、光学波导(3)、二氧化硅薄膜(4)、调制电极(5)，所述铌酸锂晶片(1)为铌酸锂单晶材料，晶体切向为X切Y传，厚度在0.1mm至2mm；所述脊型结构(2)制作于铌酸锂晶片(1)上，其宽度在1μm至10μm，高度在1μm至10μm；所述光学波导(3)采用钛扩散工艺或退火质子交换工艺制备，为直条结构，形成于脊型结构(2)中；所述二氧化硅薄膜(4)起到了减小速度失配、提升阻抗匹配的作用，其厚度在0.1μm至5μm；所述调制电极(5)为采用金或铝金属薄膜制成的行波式电极，电极厚度为1μm至30μm，调制电极(5)的边缘与脊型结构(2)的边缘有1μm至10μm的间隔，以避免调制电极(5)对脊型结构(2)中传输的光学模式的能量形成吸收，增大电光调制器的插入损耗。