[实用新型]一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片有效
| 申请号： | 201621427730.0 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN206422087U | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 黄华茂;王洪;胡晓龙;杨倬波;文如莲;施伟 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/06;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片。该宽带高效GaN基LED芯片为倒装结构，由下至上依次包括衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、量子阱层、电子阻挡层、p‑GaN层、金属反射镜层、钝化层、p‑电极层、n‑电极层、p‑电极孔和n‑电极孔；所述金属反射镜层的底面连接p‑GaN层的表面处具有微米‑纳米复合金属结构。微米金属结构包含交替出现的凸起部分和凹槽部分；凸起部分延伸至量子阱附近，实现高效SP‑MQW耦合；凹槽部分覆盖在p‑GaN表面，使p‑GaN层具有足够的厚度注入空穴；纳米金属结构分布在微米金属结构与p‑GaN的分界面上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 表面 等离子体 效应 宽带 高效 gan led 芯片 | ||
【主权项】：
一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片，其特征在于，该宽带高效GaN基LED芯片为倒装结构，由下至上依次包括衬底（1）、缓冲层（2）、非故意掺杂GaN层（3）、n‑GaN层（4）、量子阱层（5）、电子阻挡层（6）、p‑GaN层（7）、金属反射镜层（8）、钝化层（9）、p‑电极层（10）、n‑电极层（11）；所述金属反射镜层（8）的底面与p‑GaN层（7）的表面接触部位具有微米‑纳米复合金属结构。
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