[实用新型]图像传感器像素、图像传感器像素电路及成像系统有效
申请号: | 201621431785.9 | 申请日: | 2016-12-26 |
公开(公告)号: | CN206441729U | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | S·威利卡奥 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供了一种图像传感器像素、图像传感器像素电路及成像系统。图像像素可包括光电二极管、存储节点、浮动扩散和电容器。第一晶体管可耦接在所述光电二极管与所述存储节点之间。第二晶体管可耦接在所述存储节点与所述浮动扩散之间。第三晶体管可耦接在所述电容器与所述浮动扩散之间。在所述存储节点与所述电容器之间可形成势垒。所述势垒可表现出处于所述光电二极管的所述电位与所述电荷存储节点的所述电位之间的电位。所述势垒可将图像电荷溢出部分从所述存储节点转移到所述电容器。所述第三晶体管可将所述溢出电荷从所述电容器转移到所述浮动扩散。所述电容器可以为所述存储节点遮挡图像光,或者可以将所述图像光中的至少一些朝所述光电二极管反射。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 像素 电路 成像 系统 | ||
【主权项】:
一种图像传感器像素,其特征在于包括:光敏区,所述光敏区响应于图像光而生成电荷;电荷存储区域;电荷转移晶体管,所述电荷转移晶体管被配置成将所生成的电荷从所述光敏区转移到所述电荷存储区;电容器;以及受钉扎势垒,所述受钉扎势垒耦接在所述电荷存储区与所述电容器之间,其中所述受钉扎势垒被配置成将所转移的电荷的一部分从所述电荷存储区传送到所述电容器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的