[实用新型]一种HEMT生物传感器有效
| 申请号： | 201621435438.3 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN206270282U | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 黎明 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26;G01N27/327 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种全新的AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器，与常规的GaN HEMT微波射频器件不同。该GaN器件采用生物分子膜做为器件栅极，在器件工作时,引入待测抗原会引起生物分子膜表面电压的变化,从而引起势阱中2DEG浓度的改变,而2DEG浓度的改变会导致晶体管的源极(source)和漏极(drain)之间电流的变化,因此可通过器件电流(IDSS)的变化来检测引入待测抗原(例如前列腺特异性抗原PSA)的变化。本实用新型提出的GaN生物传感器具有灵敏度高,与射频微波器件易于集成等优点,具备良好的应用前景，可进一步推动下一代微系统级生光电的集成，大大拓宽医疗电子芯片领域的应用，具有明显的创新性和研究价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hemt 生物 传感器 | ||
【主权项】：
一种HEMT生物传感器，其特征在于：由下至上包括衬底、成核层、缓冲层、空间隔离层、沟道层、势垒层和盖帽层；所述势垒层和沟道层之间形成二维电子气；所述盖帽层的源极区域和漏极区域开设有沟槽，所述沟槽从盖帽层表面深入到势垒层内部，所述沟槽内生长有源电极和漏电极；所述盖帽层表面设置有栅电极。
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