[实用新型]含有氮镓铝和氮镓铟的插入层的半导体器件有效
| 申请号： | 201621437886.7 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN206516633U | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 金荣善;李东键;骆薇薇;孙在亨 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/02;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 郑彤,万志香 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市唐家湾镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种含有氮镓铝和氮镓铟的插入层的半导体器件。该半导体器件包括衬底、设在该衬底上部的籽晶层、设在该籽晶层上部的缓冲层、设在该缓冲层上部的Ⅲ族氮化物外延层以及设置在该Ⅲ族氮化物外延层中间的插入层，该插入层包括氮镓铝层和/或氮镓铟层。本实用新型通过设置插入层可以补偿Ⅲ族氮化物外延层中的一部分张应力，有效减少Ⅲ族氮化物外延层的位错和张应力，可以得到高质量的Ⅲ族氮化物外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 氮镓铝 氮镓铟 插入 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种含有氮镓铝和氮镓铟的插入层的半导体器件，其特征在于，包括：衬底；籽晶层，所述籽晶层设在所述衬底的上部；缓冲层，所述缓冲层设置在所述籽晶层的上部；Ⅲ族氮化物外延层，所述Ⅲ族氮化物外延层设置在所述缓冲层的上部；以及插入层，所述插入层设置在所述Ⅲ族氮化物外延层中间，所述插入层包括氮镓铝层和氮镓铟层。
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