[实用新型]一种InPPIN光电探测器光电集成器件

摘要

本实用新型涉及一种InP PIN光电探测器光电集成器件，即将InP PIN光电探测器、InGaP HBT跨阻放大器（TIA）、GaAs PN限幅器和GaAs pHEMT低噪放通过外延层设计，实现光接收组件的器件极集成，从而使以下设想成为可能在光纤通信中，光信号进入光接收机，通过PIN光电探测器，将光信号转化为电流信号，InGaP HBT TIA将电流信号放大后，通过GaAs PN限幅器，将电信号传输给GaAs pHEMT低噪放，最后传输给后端的信号处理芯片。

主权项

一种InP PIN光电探测器光电集成器件，其特征在于，包括；InP PIN光电探测器、GaAs异质结双极型晶体管、GaAs高电子迁移率晶体管和GaAs PN二极管限幅器；所述InP PIN光电探测器、GaAs异质结双极型晶体管、GaAs高电子迁移率晶体管和GaAs PN二极管限幅器之间有离子注入形成的隔离器件。