[实用新型]存储器装置

摘要

本公开涉及存储器装置。一种氧化物基直接存取阻变式存储型非易失存储器，其在集成电路的互连部内包括存储平面，存储平面包括在垂直的第一和第二方向(X，Y)上延伸的电容性存储单元(CEL)且每个存储单元(CEL)均包括第一电极(BE)、电介质区(MOX)和第二电极(TE)。存储平面(PM)包括形成所述第一电极的正方形或矩形的导电焊垫；所述电介质层(MOX)和第二导电层(CC2)的所述堆叠结构，所述堆叠结构在第一方向(X)上覆盖所述焊垫，且在第二方向(Y)上形成在所述焊垫之上和之间延伸的导电条带(BDY)；第二电极(TE)由面对所述焊垫的所述第二条带(BDY)的区域形成。

主权项

一种存储器装置，包括在集成电路的互连部内的至少一个电容性存储单元(CEL)，所述电容性存储单元(CEL)包括由电介质区域(MOX)隔离的第一电极(BE)和第二电极(TE)，其特征在于：所述第一电极(BE)包括正方形或矩形的导电焊垫，且其中所述装置包括电介质层(MOX)和导电层(CC2)的堆叠结构，形成在所述焊垫的每一侧之上或上延伸的条带，所述第二电极(TE)通过第二导电层(CC2)的面对所述焊垫的区域形成。