[实用新型]用于快速评估快恢复二极管性能的基座有效
| 申请号： | 201621458524.6 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN206388679U | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 程炜涛;许生根;王海军;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良,刘海 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于快速评估快恢复二极管性能的基座，其特征是包括耐高温硬质绝缘固定框架，在耐高温硬质绝缘固定框架中嵌入阳极金属引线框架和阴极金属引线框架，阳极金属引线框架和阴极金属引线框架之间保持一定的距离；所述阳极金属引线框架的部分表面、阴极金属引线框架的部分表面以及耐高温硬质绝缘固定框架的部分表面在同一平面上，该平面为二极管芯片的贴片平面；所述阳极金属引线框架和阴极金属引线框架各有部分露出与耐高温硬质绝缘固定框架之外，分别形成相互平行的阳极管脚和阴极管脚，阳极管脚和阴极管脚所形成的平行平面与贴片平面平行。本实用新型所述基座可以对快恢复二极管芯片直接贴片和打线后直接进行静态和动态性能评估。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 快速 评估 恢复 二极管 性能 基座 | ||
【主权项】：
一种用于快速评估快恢复二极管性能的基座，其特征是：包括耐高温硬质绝缘固定框架（3），在耐高温硬质绝缘固定框架（3）中嵌入一个阳极金属引线框架（1）和阴极金属引线框架（2），阳极金属引线框架（1）在阴极金属引线框架（2）左侧，阳极金属引线框架（1）和阴极金属引线框架（2）之间保持一定的距离；所述阳极金属引线框架（1）的部分表面、阴极金属引线框架（2）的部分表面以及耐高温硬质绝缘固定框架（3）的部分表面在同一平面上，该平面为二极管芯片的贴片平面；所述阳极金属引线框架（1）和阴极金属引线框架（2）各有部分露出与耐高温硬质绝缘固定框架（3）之外，分别形成阳极管脚和阴极管脚，阳极管脚和阴极管脚相互平行，阳极管脚和阴极管脚所形成的平行平面与贴片平面平行。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏中科君芯科技有限公司，未经江苏中科君芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201621458524.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：CMOS摄像头晶圆单颗电性和功能检测装置
- 下一篇：二极管自动上胶设备滚胶条
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
