[实用新型]高强度抗震型闪烁晶体阵列有效
| 申请号： | 201621461131.0 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN206301047U | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李国铭;刘冰;边建盟;程娜;程豪妍 | 申请（专利权）人： | 三河晶丽方达科技有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/202 | 分类号： | G01T1/202 |
| 代理公司： | 北京誉加知识产权代理有限公司11476 | 代理人： | 郝颖洁 |
| 地址： | 065201 河北省廊坊市三河市*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种高强度抗震型闪烁晶体阵列，属于医疗器械设备领域，解决了现有技术中闪烁晶体阵列因受到外力影响导致结构松散或晶体受损从而产生漏光、收光与成像效果不佳的问题，提供一种强度高、抗震性好、不易受损或漏光的高强度抗震型闪烁晶体阵列，它包括闪烁晶体阵列与保护套，所述保护套为套状，底面内层大小与闪烁晶体阵列底面外层大小形状相同尺寸一致，高度等于闪烁晶体阵列高度，嵌套在闪烁晶体阵列外，保留闪烁晶体阵列一端面作为出光面；所述保护套内表面为均匀平滑的面，还包括高反射层，所述高反射层包裹在闪烁晶体阵列外，位于闪烁晶体阵列和保护套之间。 | ||
| 搜索关键词： | 强度 抗震 闪烁 晶体 阵列 | ||
【主权项】：
一种高强度抗震型闪烁晶体阵列，其特征在于：它包括闪烁晶体阵列与保护套，所述保护套为套状，底面内层与闪烁晶体阵列底面外层形状相同尺寸一致，高度等于闪烁晶体阵列高度，嵌套在闪烁晶体阵列外，保留闪烁晶体阵列一端面作为出光面；所述保护套内表面为均匀平滑的面，还包括高反射层，所述高反射层包裹在闪烁晶体阵列外，位于闪烁晶体阵列和保护套之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三河晶丽方达科技有限公司，未经三河晶丽方达科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201621461131.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种激光蚀刻OGS触摸屏导电薄膜
- 下一篇：抗震型闪烁晶体阵列
