[实用新型]抗磁测量探头、抗磁测量杆及抗磁测量装置有效
申请号: | 201621462789.3 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN206400083U | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 郝镇齐;李海威;邹昌炜;王亚愚 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01R33/12 | 分类号: | G01R33/12 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司11606 | 代理人: | 刘诚 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种抗磁测量探头、抗磁测量杆及抗磁测量装置。所述抗磁测量探头用于测量超导体的迈斯纳效应,包括绝缘棒、导电线圈和密封层。所述导电线圈包括第一导电线圈和第二导电线圈。所述第二导电线圈用以提供磁场,所述第一导电线圈靠近所述第二导电线圈设置,用以监测感应电动势的变化。所述密封层将所述导电线圈密封于所述绝缘棒。所述抗磁测量探头能够实现测量生长在绝缘衬底上的超导材料的迈斯纳效应。 | ||
搜索关键词: | 测量 探头 装置 | ||
【主权项】:
一种抗磁测量探头,用于测量超导体的迈斯纳效应,其特征在于,包括绝缘棒(110),绕置于所述绝缘棒(110)的导电线圈(200),密封所述导电线圈(200)的密封层(310);所述导电线圈(200)包括第一导电线圈(210)和第二导电线圈(220),所述第二导电线圈(220)用以提供磁场,所述第一导电线圈(210)靠近所述第二导电线圈(220)设置,用以监测感应电动势的变化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201621462789.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:磁传感器
- 下一篇:一种新型铯光泵磁力仪泵源装置