[实用新型]带有支撑结构的薄膜体声波谐振器及通信器件有效

专利信息
申请号: 201621463325.4 申请日: 2016-12-29
公开(公告)号: CN206542385U 公开(公告)日: 2017-10-03
发明(设计)人: 张树民;王国浩;房华 申请(专利权)人: 杭州左蓝微电子技术有限公司
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/05;H03H9/54
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司32200 代理人: 李明
地址: 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型提出一种带有支撑结构的薄膜体声波谐振器(FBAR)及通信器件。该声波谐振器包括硅衬底、二氧化硅薄膜、压电薄膜换能器堆叠结构,压电薄膜换能器堆叠结构从上到下依次包括顶电极、压电层、底电极;绝缘体硅基片上形成有空腔以及空腔内支撑结构,绝缘体硅基片通过金属键合层与压电薄膜换能器堆叠结构形成封闭空腔;绝缘体硅基片上预制的空腔宽度大于压电薄膜换能器堆叠结构的水平宽度,该设计能对薄膜体声波谐振器的横向杂波有很好的抑制作用,从而提高器件性能。另外,本实用新型在空腔内形成压电薄膜换能器堆叠结构的支撑结构,有利于减少薄膜体声波谐振器早键合过程的断裂、损伤,能有效地提高器件生产稳定性,适合批量生产。
搜索关键词: 带有 支撑 结构 薄膜 声波 谐振器 通信 器件
【主权项】:
一种带有支撑结构的薄膜体声波谐振器,其特征在于:所述谐振器包括带空腔的绝缘体硅基片和压电薄膜换能器堆叠结构;所述压电薄膜换能器堆叠结构包括顶电极、压电材料和底电极,其中顶电极、压电材料、底电极依次堆叠,所述压电薄膜换能器堆叠结构置于所述绝缘体硅基片的空腔中,所述压电薄膜换能器与绝缘体硅基片通过键合层形成封闭空腔结构;所述空腔内包括多个支撑结构,用于支撑压电薄膜换能器堆叠结构。
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