[实用新型]一种防ESD的二极管及包含其的CMOS集成电路保护电路

摘要

本实用新型公开一种防静电放电的二极管，包括第一导电类型的半导体衬底；在衬底上形成的第二导电类型的阱区；在阱区上形成的第一导电类型的掺杂区；在掺杂区的面积一定的情况下，掺杂区的形状为使掺杂区具有高周长/面积比的形状。在相同的二极管面积的情况下，掺杂区具有高周长/面积比，提高了二极管电流容量，增强二极管静电放电能力，且具有小的输入电容，解决因静电放电引起的器件损伤；本实用新型还公开了一种含有防静电放电二极管的CMOS集成电路的保护电路，减少了输入端电容，提高了CMOS集成电路抗静电放电能力。

主权项

一种防静电放电的二极管，其特征在于，包括：第一导电类型的半导体衬底；在所述衬底上形成的第二导电类型的阱区；在所述阱区上形成的第一导电类型的掺杂区；在所述掺杂区的面积一定的情况下，所述掺杂区的形状为使所述掺杂区具有高周长/面积比的形状；其中第一导电类型与第二导电类型相反。