[实用新型]低反压功率晶体管

摘要

本实用新型涉及一种低反压功率晶体管，低掺杂N型集电区上设有高掺杂P型基区，基区上设有高掺杂N型发射区，所述晶圆片为磊晶矽晶圆片，所述发射区为若干等距离间隔排列的柱状发射区，每个所述柱状发射区上设有孔，发射极引线由发射区金属化电极条连接至发射极电极；每个所述柱状发射区四角基区上设有孔，基极引线由基区金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极金属化电极条之间通过绝缘槽分隔开；所述集电区上，基区外围处设有保护环结构，所述集电区、保护环、发射区、基区上设有磊晶外延层；所述磊晶外延层、发射区、基区上沉积阳极金属；集电区背面沉积阴极金属。本实用新型晶体管反压低，集电极电流大，尺寸小。

主权项

一种低反压功率晶体管，晶圆片尺寸为1.78mm×1.78mm，低掺杂N型集电区上设有高掺杂P型基区，基区上设有高掺杂N型发射区，其特征在于，所述晶圆片为磊晶矽晶圆片，所述发射区为若干等距离间隔排列的柱状发射区，每个所述柱状发射区上设有发射区引线孔，发射极引线由发射区金属化电极条连接至发射极电极；每个所述柱状发射区四角基区上设有基区引线孔，基极引线由基区金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极金属化电极条之间通过绝缘槽分隔开；所述低掺杂N型集电区上，高掺杂P型基区外围处设有保护环结构，所述低掺杂N型集电区、保护环、高掺杂N型发射区、高掺杂P型基区上设有磊晶外延层；所述磊晶外延层、高掺杂N型发射区、高掺杂P型基区上沉积阳极金属；低掺杂N型集电区背面沉积阴极金属。