[实用新型]双极型高反压功率晶体管有效
| 申请号： | 201621467545.4 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN206332030U | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 崔峰敏 | 申请（专利权）人： | 傲迪特半导体（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06 |
| 代理公司： | 江苏致邦律师事务所32230 | 代理人： | 徐蓓,尹妍 |
| 地址： | 210034 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种双极型高反压功率晶体管，低掺杂N型硅的集电区上设有高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的发射区，所述发射区为若干等距离间隔排列的柱状发射区，每个所述柱状发射区上设有孔，发射区引线由发射极金属化电极条连接至发射极电极；每个柱状发射区四角基区上设有孔，基极引线由基极金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极金属化电极条之间通过绝缘槽分隔开；其特征在于，所述集电区上，基区外围处设有保护环结构，所述集电区、保护环、发射区、基区上设有石墨烯层；所述石墨烯层、发射区、基区上沉积阳极金属；集电区背面沉积阴极金属。本实用新型的高反压功率晶体管VCBO、VCEO高，集电极管耗小。 | ||
| 搜索关键词： | 双极型高反压 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种双极型高反压功率晶体管，硅晶片尺寸为10.0mm×8.0mm，低掺杂N型硅的集电区上设有高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的发射区，所述发射区为若干等距离间隔排列的柱状发射区，每个所述柱状发射区上设有发射区引线孔，发射区引线由发射极金属化电极条连接至发射极电极；每个所述柱状发射区四角基区上设有基区引线孔，基极引线由基极金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极金属化电极条之间通过绝缘槽分隔开；其特征在于，所述低掺杂N型硅的集电区上，高掺杂的P型基区外围处设有保护环结构，所述低掺杂N型硅的集电区、保护环、高掺杂N型硅的发射区、高掺杂P型硅的基区上设有石墨烯层；所述石墨烯层、高掺杂N型硅的发射区、高掺杂P型硅的基区上沉积阳极金属；低掺杂N型硅的集电区背面沉积阴极金属。
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