[实用新型]GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池有效
| 申请号： | 201621473395.8 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN206650094U | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0725 | 分类号： | H01L31/0725;H01L31/0735;H01L31/0745 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池，所述GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池包括Si衬底层，依次层叠于所述Si衬底层之上的Ge外延层、GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池层、接触层、减反膜，其中所述Ge外延层中Ge为LRC晶体。本实用新型实施例采用LRC工艺制备GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池，采用LRC技术制备的Ge晶体制备Ge外延层，可以制备出很薄的Ge外延层，并且质量较高、热预算低。且LRC使Ge横向结晶生长，从而减少由于晶格失配引起的位错，制备出具有品质优良的Ge/Si衬底的GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | gainp2 gaas ge 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池，包括:Si衬底层，依次层叠于所述Si衬底层之上的Ge外延层、GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池层、接触层、减反膜，其中所述Ge外延层中Ge为LRC晶体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安科锐盛创新科技有限公司，未经西安科锐盛创新科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201621473395.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
