[实用新型]GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池有效
| 申请号： | 201621476419.5 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN206595272U | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 王颖 | 申请（专利权）人： | 陕西学前师范学院 |
| 主分类号： | H01L31/074 | 分类号： | H01L31/074;H01L31/0336;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710100 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池，包括Si衬底层，依次层叠于所述Si衬底层之上的Ge外延层、底电池层、中电池层、顶电池层、接触层和反射膜；所述Ge外延层中Ge为LRC晶体；所述底电池层包括Ge基区、Ge发射区、GaAs窗口层；所述中电池层包括第一GaAs隧道结、GaAs中电池背场、GaAs基区、GaAs发射区、Ge0.51In0.49P窗口层、所述顶电池层包括第二GaAs隧道结、Ge0.51In0.49P顶电池背场、Ge0.51In0.49P基区、Ge0.51In0.49P发射区以及Al0.53In0.47P窗口层。本实用新型中所述Ge外延层为LRC晶体，可有效降低Ge/Si衬底的位错密度；同时，Si衬底上Ge薄膜厚度也较前述常见方法更薄，从而更有利于光的透过。本实用新型提供所述GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池将获得更高的光电转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | gainp gaas ge 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池，其特征在于，包括：Si衬底层，依次层叠于所述Si衬底层之上的Ge外延层、底电池层、中电池层、顶电池层、接触层和反射膜；其中，所述Ge外延层中Ge为LRC晶体；其中，所述底电池层包括依次层叠于所述Ge外延层上的Ge基区、Ge发射区、GaAs窗口层；所述中电池层包括依次层叠于所述GaAs窗口层上的第一GaAs隧道结、GaAs中电池背场、GaAs基区、GaAs发射区、Ge0.51In0.49P窗口层、所述顶电池层包括依次层叠于所述Ge0.51In0.49P窗口层上的第二GaAs隧道结、Ge0.51In0.49P顶电池背场、Ge0.51In0.49P基区、Ge0.51In0.49P发射区以及Al0.53In0.47P窗口层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
