[实用新型]集成在晶体管上横向PN结的温度传感二极管结构

摘要

本实用新型涉及一种集成在晶体管上横向PN结的温度传感二极管结构，第一多晶硅层上部连接有第二氧化层和绝缘介质层，第二氧化层具有隔离出二极管区域的隔离部分和环形隔离部分，环形隔离部分将二极管区域的第一多晶硅层隔离形成不相连接的二极管第一掺杂区和隔离保护环，隔离保护环不闭合，外周为圆弧面的二极管第二掺杂区连接在二极管第一掺杂区内形成横向的PN结，二极管的第一、第二电极与对应的二极管第一掺杂区、第二掺杂区连接，保护电极穿过绝缘介质层与第一多晶硅层上的隔离保护环连接，保护电极与第一电极连接形成等电位。本实用新型结构合理，能实时探测晶体管芯片温度，并能解决外界电流、电压及电场变化对温度传感二极管影响，降低制造成本。

主权项

一种集成在晶体管上横向PN结的温度传感二极管结构，其特征在于：硅片(1)的有源区内依次连接有第一氧化层(6)和其上部的第一多晶硅层(8)，第一多晶硅层(8)上部依次连接有第二氧化层(4)和绝缘介质层(14)，第二氧化层(4)具有向下穿过第一多晶硅层(8)和第一氧化层(6)与晶体管连接并用以隔离出二极管区域的隔离部分(4‑2)，第二氧化层(4)还具有穿过第一多晶硅层(8)和第一氧化层(6)与硅片(1)连接的环形隔离部分(4‑1)，环形隔离部分(4‑1)将二极管区域的第一多晶硅层(8)隔离形成不相连接的二极管第一掺杂区(8‑3)和位于二极管第一掺杂区(8‑3)外围的隔离保护环(8‑1)，且隔离保护环(8‑1)不闭合，外周为圆弧面的二极管第二掺杂区(8‑4)连接在二极管第一掺杂区(8‑3)内并形成横向的PN结(7)，二极管的第一电极(17)和第二电极(16)穿过绝缘介质层(14)和第二氧化层(4)与对应的二极管第一掺杂区(8‑3)和二极管第二掺杂区(8‑4)连接，保护电极(15)穿过绝缘介质层(14)和第二氧化层(4)与第一多晶硅层(8)上的隔离保护环(8‑1)连接，且保护电极(15)与第一电极(17)连接形成等电位。