[发明专利]薄膜晶体管及制造方法、阵列基板行驱动电路和显示装置有效
| 申请号： | 201680000573.1 | 申请日： | 2016-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN106463545B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 郑在纹;樊超;金东珍;崔镕各 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 汪源;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开一种薄膜晶体管，其包括：基板；有源层，其设置在基板上，包括第一半导体区域、第二半导体区域和多个半导体桥，每个半导体桥均与第一半导体区域和第二半导体区域连接，多个半导体桥彼此隔开，有源层由包括M1OaNb的材料制成，其中M1是单金属或多种金属的组合，a＞0且b≥0；刻蚀阻挡层，其设置在有源层的远离所述基板的一侧，第一半导体区域包括第一非重叠部分，第一非重叠部分在基板上的投影位于所述刻蚀阻挡层在基板上的投影以外，第二半导体区域包括第二非重叠部分，第二非重叠部分在基板上的投影位于刻蚀阻挡层在基板上的投影以外；第一电极，其位于第一非重叠部分的远离所述基板的一侧；和第二电极，其位于第二非重叠部分的远离所述基板的一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 阵列 基板行 驱动 电路 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：基板；有源层，其设置在所述基板上，包括第一半导体区域、第二半导体区域和多个半导体桥，每个半导体桥均与所述第一半导体区域和所述第二半导体区域连接；所述多个半导体桥彼此隔开；所述有源层由包括M1OaNb的材料制成，其中M1是单金属或多种金属的组合，a＞0且b≥0；刻蚀阻挡层，其设置在所述有源层的远离所述基板的一侧；所述第一半导体区域包括第一非重叠部分，所述第一非重叠部分在所述基板上的投影位于所述刻蚀阻挡层在所述基板上的投影以外；所述第二半导体区域包括第二非重叠部分，所述第二非重叠部分在所述基板上的投影位于所述刻蚀阻挡层在所述基板上的投影以外；第一电极，其位于所述第一非重叠部分的远离所述基板的一侧；和第二电极，其位于所述第二非重叠部分的远离所述基板的一侧。
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