[发明专利]半导体装置和其制造方法有效
| 申请号： | 201680000787.9 | 申请日： | 2016-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN106170857B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 金东吉;金吉翰;杜文秋;贝杰翰;其王门;翰东和;金杜浑;李吉和;朴金文;孙山南;邱翰;可提斯·斯文格 | 申请（专利权）人： | 艾马克科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/50;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;曹娜 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制造一半导体装置的方法以及一种借此产生的半导体装置。例如且在无限制性下，此揭露内容的各种特点是提供一种用于制造一半导体装置的方法以及一种借此产生的半导体装置，其包括一不具有直通硅晶穿孔的中介件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体封装的方法，该方法包括：提供载体结构，其包括：载体；以及在该载体上的载体介电层；在该载体结构的第一侧边上形成中介件结构，该中介件结构包括：中介件介电层；以及中介件导电层；在该形成中介件结构之后，从该载体结构移除该载体；以及附接半导体晶粒至该中介件结构。
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