[发明专利]氮化物半导体衬底的制造方法有效
| 申请号： | 201680001953.7 | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN107078030B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 三宅秀人 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人三重大学 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;C23C16/18;C23C16/34;C30B29/38;H01L21/205;H01L21/324 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种氮化物半导体衬底(1)的制造方法，包括包括如下步骤：将在蓝宝石衬底的表面形成有由AlN的晶粒组成的AlN缓冲层的前驱体而成的半导体衬底，以与所述前驱体的间隙为0.5mm以下的方式与罩部件相对地容纳在退火炉内，以抑制由所述半导体衬底的加热引起的AlN成分的离解；以及使所述退火炉内成为惰性气体的气氛，使所述半导体衬底的温度为1600℃以上1750℃以下进行20分钟以上的退火，退火后的(10－12)面的X射线摇摆曲线的半峰全宽为1000arcsec以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 衬底 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体衬底的制造方法，包括退火工序，在所述退火工序中，在对在由蓝宝石、碳化硅以及氮化铝的至少一个组成的衬底上形成有由III族氮化物半导体组成的缓冲层的前驱体的衬底进行退火时，在由用于抑制所述III族氮化物半导体的成分从形成后的所述III族氮化物半导体的主面离解的罩部件覆盖所述III族氮化物半导体的主面的气密状态下，对形成有所述III族氮化物半导体的所述衬底进行退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
