[发明专利]具有降低翘曲风险的反向导通闸控双极导通装置及方法在审
| 申请号： | 201680002719.6 | 申请日： | 2016-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN107078156A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 曾军;穆罕默德·达维希 | 申请（专利权）人： | 马克斯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L27/06;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/872;H01L21/331;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所(普通合伙)11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 反向导通IGBT，其中集电极侧包括二极管端区，并且半导体材料穿过二极管端区比穿过集电极区厚得多。这利用由二极管端区占据的面积分数来对晶圆提供增加的刚性，从而避免翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 降低 风险 向导 通闸控双极导通 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种具有双极导通的反向导通闸控半导体装置，包括：a)在第一型半导体晶粒的第一表面上的射极结构，该射极结构包括第二型射极区、及可选择地将第一型源极端连接至所述晶粒的主体的控制端；b)在所述半导体晶粒的第二表面上的集电极结构，该集电极结构包括由第一型缓冲层覆盖的薄第二型集电极区；c)第二型反向导通二极管端，在所述第二表面上；其中所述晶粒穿过所述二极管端的总厚度超过所述晶粒穿过所述集电极结构的总厚度。
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