[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201680002943.5 | 申请日： | 2016-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN106688104B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 原田祐一;星保幸 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;李盛泉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 若氢侵入半导体装置，则栅极结构的栅极电压阈值(Vth)会变化。本发明防止氢从位于半导体装置的端部的耐压结构部向半导体装置侵入。提供半导体装置，该半导体装置具备半导体基板，其具有有源区域和设置在所述有源区域的周围的耐压结构部；第1下部绝缘膜，其在所述半导体基板上设置于所述耐压结构部；以及第1保护膜，其设置在所述第1下部绝缘膜上，并且与所述半导体基板电绝缘，且对氢进行吸留。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，其具有有源区域和设置在所述有源区域的周围的耐压结构部；第1下部绝缘膜，其在所述半导体基板上设置于所述耐压结构部；以及第1保护膜，其设置在所述第1下部绝缘膜上，并且与所述半导体基板电绝缘，且对氢进行吸留。
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